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中村修二——LED发明者

2022-01-02 22:35:07 来源: 网络   编辑: 佚名   浏览(32)人   
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    中村修二(中村修二中村修二,生于1954年5月22日)FREng是日本出生的美国电子工程师和发明家专业领域的半导体技术,教授在的材料系工程学院,美国加州大学圣巴巴拉分校(UCSB),并且被认为是蓝色LED的发明者,这是照明技术的重大突破。他与赤崎勇(IsamuAkasaki)和天野弘(HiroshiAmano)一起,是2014年诺贝尔物理学奖的三位获奖者之一“为了发明高效的蓝色发光二极管,它使明亮而节能的白光源成为可能”。2015年,他对节能白光LED照明技术的商业化和开发的投入获得了全球能源奖的认可。
    Nakamura于1977年毕业于德岛大学,获得工学学士学位。电子工程学士学位,并获得工程学硕士学位。两年后,他又获得了同一学位的学位,此后,他加入了同样位于德岛的NichiaCorporation。在Nichia工作期间,Nakamura发明了第一个高亮度氮化镓(GaN)LED,其明亮的蓝光(通过磷光体涂层部分转化为黄色)是白光LED照明的关键,于1993年投入生产。
    此前,RCA的J.I.Pankove及其同事付出了巨大的努力,但在1960年代未能成功制造出适销对路的GaNLED。主要问题是难以制造强p型GaN。Nakamura借鉴了由IsamuAkasaki教授领导的另一个日本小组的工作,该小组发表了他们的方法,该方法通过掺杂镁的GaN的电子束辐照来制造强p型GaN。但是,这种方法不适用于大规模生产,并且其物理原理还没有被很好地理解。Nakamura设法开发了一种更适合大规模生产的热退火方法。此外,他和他的同事们研究了物理原理,指出罪魁祸首是氢,氢钝化了GaN中的受体。
    当时,许多人认为制造GaNLED太难生产。因此,Nakamura很幸运,Nichia的创始人小川伸男(1912–2002)最初愿意支持他的GaN项目。但是,该公司最终命令他暂停GaN的工作,声称它浪费了太多时间和金钱。Nakamura继续自行开发蓝色LED,并在1993年成功制造了该设备。
    他获得了工程学博士学位。他于1994年获得德岛大学(UniversityofTokushima)博士学位。他于1999年离开日亚化学(NichiaCorporation),并担任加州大学圣塔芭芭拉分校的工程教授。
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